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据惠山高新区发布消息，11月21日，中科院长春光机所高性能光芯片项目签约仪式在惠山高新区（洛社镇）举行，院士团队“牵手”高新区（洛社镇），将针对量子精密测量对高性能激光芯片的重大应用需求，实现三种量子精密测量光芯片全自主研发和生产，支撑我国先进量子精密测量技术长足发展。消息称，此次签约的中科院长春光机所高性能光芯片项目，是惠山高新区与大院大所合作的“重头戏”。中科院长春光机所是新中国在光学领域建立
11月22日，据外媒消息，英特尔合同芯片生产部门的负责人RandhirThakur已经辞职，该报道得到了英特尔的确认。据悉，Thakur将继续领导英特尔代工服务到2023年第一季度，以确保新领导人的顺利过渡。英特尔首席执行官PatGelsinger向公司员工发送了一封电子邮件，感谢RandhirThakur在建立英特尔芯片代工服务（IFS，IntelFoundryServices）方面的投入和对公
11月15日，美光宣布LPDDR5X移动存储器已获得高通最新旗舰智能手机移动平台Snapdragon®8Gen2验证，并已集成到Snapdragon8Gen2参考设计中。美光最新LPDDR5X专为高端和旗舰智能手机打造，峰值速度8.533Gbps，比上一代LPDDR5提高33%。美光LPDDR5X已开始量产，并在全球范围内出货。
贴片电阻是金属玻璃釉电阻器中的一种。是将金属粉和玻璃釉粉混合，采用丝网印刷法印在基板上制成的电阻器。薄薄的一个小方片，体积小、耐潮湿、耐高温、温度系数小，非常适合现在自动化装配的时代。小编之前就有见识过自动贴片机，刷刷两下，十秒左右的功夫，一块线路板上已经布满大大小小的各种元器件，又快又省事。普通电阻是靠色环来辨识阻值，贴片电阻靠什么来辨识阻值呢？国内贴片电阻的命名方法有两个：5%精度的命名法（例
一，贴片电阻特点①采用长边电极结构和独家材料实现了大功率，低TCR(±100×10－6/K)，②适用于小型大功率的电流检测用途(低TCR使高精度的电流检测成为可能)，③采用长边电极结构具备牢固的焊锡粘结强度，④采用长边电极结构实现了高散热性，⑤符合AEC-Q200，⑥已应对RoHS指令。二，低TCR高功率贴片电阻用途①用于ECU,ABS等的电装件②用于直流ー直流转换器等的电流检测电路三，低TCR高
集成电路是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。当前，百年变局和世纪疫情交织，全球集成电路产业进入重大调整变革期，维护好、保障好产业链供应链安全稳定，已成为共同挑战和重大课题。为此，2022世界集成电路大会提出以下五点倡议。一、坚持创新发展，共迎风险挑战。集成电路产业正步入“后摩尔时代”，我们要致力于增强全产业链自主创新能力，加强原创性引领性科技攻
当我们得到分解后的电路板时，我们会发现电路板上几乎一半的电子元件是电阻器。我们看到的大多数电阻器可以分为两种形状，一种是用彩色环表示的轴向电阻，另一种是用数字方法表示的贴片电阻。对于上述两种形状的电阻器，没有极性，也就是说，没有极性，它们在安装和焊接过程中只有工艺要求。今天，我们来谈谈电阻识别和焊接的一些问题。抗性鉴定1.色环电阻的识别为了识别对电流的电阻，我们将在轴向电阻的外观上涂上不同颜色的环
在客户咨询的时候，很多时候都会问到，什么是厚膜晶片电阻和薄膜晶片电阻，它们有什么区别，用在哪些行业？晶片电阻又称厚膜晶片电阻或金属膜电阻和片式电阻，不管哪个各种名称都是根据它的膜层厚度、形状及膜层材料来区分（如下图）：在这里，很多人都会误以为厚膜晶片电阻和薄膜晶片电阻的区别在于膜的厚度，实际上厚膜晶片电阻和薄膜晶片电阻分别由它们代表的不同工艺特征来区分，比如说厚膜晶片电阻利用丝网印刷将道题浆料和电
当地时间11月10日，美光宣布推出适用于数据中心的DDR5存储器，该存储器已针对新的AMDEPYC™9004系列处理器进行了验证。随着现代服务器将更多处理内核装入CPU，每个CPU内核的存储器带宽一直在下降。与前几代相比，美光DDR5提供了更高的带宽，从而缓解了这一瓶颈，提高了可靠性和可扩展性。据介绍，美光将配备其DDR5的单个第4代AMDEPYC处理器系统的STREAM基准性能与3200MT/秒
据南京广播电视台11月8日报道，南京华天存储及射频类集成电路封测产业化项目已经部分竣工。浦口经济开发区重点项目推进办公室工作人员吴磊透露称，这个项目整体竣工之后，预计将形成14亿的产值。报道显示，南京华天存储及射频类集成电路封测产业化项目总投资15亿元，涉及购置设备约1780台/套，新建1条存储及射频类集成电路封测生产线，计划2024年完工。随着它的落户，有望带动当地快速集聚280多家上下游产业，
据北京日报11月8日报道，日前，位于中关村顺义园的第三代半导体产业园正式投入运行。该产业园占地7.4万平方米，将以新能源汽车、5G通讯、能源互联网等重大应用需求为牵引，积极突破核心技术，实现第三代半导体技术与产业自主可控，形成第三代半导体产业集聚区。该园区运营负责人朱毅峰表示，1、2、3号楼主要定位芯片设计、工艺设计、孵化服务等办公型企业以及食堂、会议展览等园区配套服务；4、5、6号楼主要定位工艺
全志A64是一款64位的四核处理器，主要针对平板电脑/盒子/笔记本等产品，这款64位开发板拥有2GB内存，16GB存储，支持HDMI1.4，USB2.0，2.4GHz/5GHzWiFi，支持AndroidL系统。瑞芯微RK3288这款芯片也是一个四核ARMCortex-A17内核芯片、支持最新超强Mali-T76x系列GPU的芯片以及4Kx2K硬解H.265的芯片，RK3288主要应用于移动互联网
据日经中文网报道，日本东京工业大学及AOIElectronics等研究团队开发出了连接功能不同的多个半导体芯片、使其像一个芯片一样工作的关键技术。该技术可以提高芯片的集成密度和电气特性，改善成品率。报道指出，过去，芯粒之间的连接大多使用被称为“中介层（Interposer）”的中间基板。中介层的主流是硅基板，但这种基板在电气特性、定位精度、成本等方面存在问题。而此次的技术优势在于能以最小限度的元素
据成都高新区消息，11月6日，时值第五届中国国际进口博览会举办期间，成都高新区在上海举办“共话芯路新芯向蓉“成都集成电路产业挑战与机遇专家恳谈会，邀请在沪知名集成电路企业代表商议集成电路产业未来发展趋势。近年来，成都围绕集成电路、新型显示等14个先进制造业实施产业“建圈强链”行动，电子信息产业率先突破万亿。2021年10月，中共中央、国务院印发《成渝地区双城经济圈建设规划纲要》。同时，又有一带一路
全志A33是一款处理器，采用四核CortexTM-A7架构，搭载Mali400MP2图形处理单元，支持1080P高清视频处理及播放，最大支持1280×800屏幕，支持500万像素摄像头，支持USB3.0接口。 全志A33基本参数 全志A33四核是目前最具性价比的超低功耗四核平板处理器，基于ARMCortex-A7四核CPU架构以及Mali400MP2GPU架构，完美支持多格式1080P@60f
相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么。1.MOS的三个极怎么判定？MOS管符号上的三个脚，辨认要抓住关键地方：G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是。D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。2.是N沟道还是P沟道？三个脚的极性判断完后，接下就该判断是P沟道还是N沟道了：当然也可以先判断沟道类型，再判断三个脚极
如下图：如果我们把运放芯片当作理想的，那么放大电路的增益就是两个电阻的比值，如果要让增益等于2，那么R1和R2分别是2K，1K能达到目的，20K，10K也能达到目的，200K，100K也能达到目的，2Ω，1Ω看着也能达到目的，那么这些阻值都是可以的吗？电阻大小影响什么？这个问题以前也没有深究过，虽然大抵知道一些影响因素，估计也是一些片面的因素，正好借这个机会专门查一查下面就是查到的一些内容。电阻的
目前血氧仪暴涨的需求，主要是政策调整后，人群感冒发烧增多，确诊增多，有基础疾病的老年人等群体暴露其中更加危险，官方鼓励血氧仪作为监控预防重症的设备。加上血氧知识的普及，媒体的宣传，如多位专家建议家庭、个人准备指夹式血氧仪等设备，及时掌握自己和家人的身体情况。因此对于有家有老人、小孩，或者本身抵抗力差的人群，作为日常监测还是比较实用，一旦出现低血氧可以及时就医。而对于没有严重基础疾病的普通人群来说，
工程师通过仪器能够查看和了解不同电子、机械部分或整个系统内的情况。这些设备通过获取、分析和显示数据，让工程师可以监视和控制机械并进行所有必要的更正。在测试或原型制作过程中，仪器可帮助改进电路，让设计更新颖、更出色。由于需要具有丰富功能和高可用性的高性能仪器来满足各种应用面临的设计挑战，我们将会介绍这些仪器为满足客户需求而需要具备的特性，然后研究仪表放大器这个关键设计组件的重要属性。仪器不同，要求不
OPAMP运算放大器芯片是具备差分输入和单端输入的极低增益放大器。常用作低精度的模拟电路之中，因此必须对其性能展开精确测量。但在开环测定之中，开环电压可低达107或更低，并且拾音器、杂散电流或Seebeck（热电偶）效应会在放大器输入端造成非常大的电压，因此误差是难以避免的。测量过程可大大简化，通过采用一个伺服回路，被迫放大器的输入为零，容许被测放大器测定自己的误差。图1表明了一个多功能的电路，透
一、局部放电现象局部放电（partialdischarge，简称PD）现象，通常主要指的是高压电气设备绝缘层在足够强的电场作用下局部范围内发生的放电，某个区域的电场强度一旦达到其介质击穿场强时，该区域就会出现放电现象。这种放电以仅造成导体间的绝缘局部短（路桥）接而不形成导电通道为限。每一次局部放电对绝缘介质都会有一些影响，轻微的局部放电对电力设备绝缘的影响较小，绝缘强度的下降较慢；而强烈的局部放电
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