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半导体行业寒冬再添阴霾，中下游厂商砍单浪潮终于扑向了上游。据媒体报道，由于3nm制程大客户临时取消订单，台积电也向自家供应链举起了砍单大刀。相较年初规划，其砍单幅度最高达40%-50%。本次砍单，受影响厂商涵盖再生晶圆、关键耗材、设备等多个环节；冲击领域包括前段生产制程与后端先进封装制程，其中，对后端影响程度高于前段。台积电供应商透露，的确，从Q3末以来，来自台积电的订单便开始转弱，Q4与明年Q1
当地时间11月1日，美光宣布正在向选定的智能手机制造商和芯片组运送其1βDRAM技术的合格样品合作伙伴，并已通过世界上最先进的DRAM技术节点实现了量产准备。据官方介绍，美光于2021年实现1αLPDDR5XDRAM批量出货，此次新的1β制程DRAM比1α制程DRAM功率效率提高15%，每区储存的位元数也增加35%。美光表示，随着LPDDR5X的出样，移动产品将率先从1βDRAM的提升中获益，提升
10月1日，深圳市发展和改革委员会公示深圳市战略性新兴产业扶持计划拟资助项目名单。根据公示名单，涉及集成电路领域的项目有9个，分别是深圳华大北斗科技有限公司的深圳市北斗地基增强工程研究中心组建、芯海科技（深圳）股份有限公司的深圳市新一代智能终端MCU芯片技术研发及应用工程研究中心、国民技术股份有限公司的深圳市物联网设备主控芯片核心技术工程研究中心、深圳飞骧科技股份有限公司的深圳市5G终端射频芯片与
近日，外媒TheInformation引用知情人士消息，谷歌在数据中心处理器芯片研发方面取得进展，并有望于2025年开始使用，新处理器预定由台积电生产。报道称，Google服务器处理器团队用时2年，开发了两款基于ARM架构的5纳米处理器。其中一款代号为Maple，采采(MarvellTechnologyGroup现成设计，目前已完成设计交由台积电试产。另一款代号为Cypress，交由以色列团队开发
2022年9月20日，北京——业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevICe(股票代码603986)发布首款基于Cortex®-M33内核的GD32A503系列车规级微控制器，正式进入车规级MCU市场。全新MCU采用先进的车规级工艺平台，遵循车规级设计理念和生产标准，符合车用高可靠性和稳定性要求。该系列产品以均衡的处理性能、丰富的外设接口和增强的安全等级，为车身控制、车用照明、智能座舱、辅
2月15日，景旺电子发布公告称，基于自身发展需要，为扩大市场规模，满足客户对高端产能需求，提升公司高端产品供应能力及市场占有率，拟与信丰县人民政府签订《信丰县人民政府与深圳市景旺电子股份有限公司关于新建高多层PCB智能制造基地项目投资合同书》。景旺电子计划在江西信丰高新技术产业园区投资新建高多层PCB智能制造基地项目，并在信丰县人民政府辖区内设立全资子公司，具体负责项目建设运营（全资子公司名称及经
低功耗是项目中非常重要的一部分，尤其是对于一些使用电池供电的设备。N76E003支持两种低功耗模式，一种是空闲模式，一种是掉电模式，从字面意思一看就知道如果要最求最低的功耗，一定是需要使用掉电模式。在掉电模式下，作者对当前的项目应用中测试出来的最低的功耗是5uA,这个值本人认为已经是非常不错的。针对N76E003如何实现低功耗谈谈个人的经验。首先肯定是配置掉电模式，一条set_PD语句都可以直接将
近日，韩国媒体报道称，三星电子计划考虑推出新的商业模式，高端存储芯片租赁服务，寻求在价格转为波动时也能确保稳定销售及收益流。报道指出，消息人士称，三星电子近期将“存储即服务”（memoryasaservice，MaaS）敲定为新业务，并正在制定实施计划。三星计划将用于高性能计算的存储半导体借给谷歌等云服务公司，并收取租赁费用。三星电子希望新业务能占其动态随机存取存储器（DRAM）整体销售收入的至少
2月15日，据广州市人民政府网站披露，广州市人民政府现已印发《关于支持市场主体高质量发展促进经济运行率先整体好转的若干措施》（以下简称《措施》）。《措施》提出，发展壮大战略性新兴产业。出台实施汽车产业中长期发展规划，发挥好300亿元汽车产业及零部件产业发展基金作用，近地化构建“432”汽车产业园区，提升车规级芯片、动力电池等核心零部件近地化率。出台专项扶持政策，推动半导体和集成电路产业加快发展。扶
光纤开关，是一种非接触型的电路开关，由发光管、光纤探头、光探测器、放大器及输出指示灯组成，光纤探头由发送光纤和接收光纤组成，二者之间隔有一定的检测空间，利用光路在检测空间通或断，经光电转换实现电路开关作用。用作各种自控设备的电路开关。为帮助大家深入了解，本文将对光纤开关的特点和工作原理的相关知识予以汇总。如果您对本文即将要涉及的内容感兴趣的话，那就继续往下阅读吧。光纤开关的特点光纤开关是能使光纤线
此前国外一些测试人员发现，苹果最新推出的M2芯片MacBookPro256GB版，其固态硬盘读写速度明显低于上一代同型号。如今，博主MaxYuryev针对此情况，做了日常体验测试，结果和之前的基准测试一样。 事实证明，256GBM2芯片的MacBookPro表现确实不如上一代M1芯片的版本。在涉及Photoshop、Lightroom、FinalCutPro、多任务处理和文件传输等多项使用测试中
据合肥日报报道，国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪（简称“激光退火仪”）已研制成功。该激光退火仪可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素，像“手术刀”一样精准剔除量子芯片中的“瑕疵”，增强量子芯片在向多比特扩展时的性能，从而进一步提升量子芯片的良品率。报道称，该设备由合肥本源量子完全自主研发，可达到百纳米级超高定位精度，对量子芯片中单个量子比特进行局域激光退火，从而定向控制修
简介MikroElektronikaMIKROE-3200Fan4Click板是一款紧凑型双线风扇驱动器，采用集成式5VDC无刷电机驱动器芯片。该click板具有输出电压调节和电流限制功能，可控制双线直流无刷电机的速度。MIKROE-3200Fan4click板采用具有集成式6位DAC的LTC1695IC。该DAC可在0V至4.92V范围内调节输出电压，并具有最大输出电流限制和热关断保护特性。Fa
HBB单极圆形连接器具备强电流处理能力，尺寸纤巧，并可在恶劣环境下展现卓越性能。HBB系列设计用于各类大功率应用，特别适合用于军用车辆、无人驾驶车辆、航空电子系统、铁路运输和工业应用中使用的电动驱动器。这款连接器的设计目的是易于插接和迅速拆离，可达到300A和500A（可按需提供750A）的标准额定电流，具有高可靠性和卓越的完整性。双曲面触头产生的触头电阻数值低达0.05毫欧姆，有助于降低电阻损耗
5G千兆工业无线路由器USR-G810，支持NSA和SA双模5G网络，向下兼容4G/3G网络，覆盖全运营商网络制式；具备4路千兆网口，支持多种VPN协议，具备M2M远程管理平台，可无缝对接各类工业物联网应用；适用于远程监控、远程管理、数据传输等应用，具有高速率、低延时的特点。 5G疾速网络体验 G810支持NSA和SA双模5G网络，覆盖三大运营商网络制式; 兼容三大运营商物联网卡、APN专网
1月5日，长电科技宣布，公司XDFOI™Chiplet高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段，同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货，最大封装体面积约为1500mm²的系统级封装。2021年7月，长电科技推出面向Chiplet（小芯片）的高密度多维异构集成技术平台XDFOI™，利用协同设计理念实现了芯片成品集成与测试一体化，涵盖2D、2.5D、3DChiplet集成技术。
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款符合AEC-Q200标准的NTC热敏电阻---NTCLE350E4，采用PEEK绝缘镍铁（NiFe）合金引线，热梯度低。VishayBCcomponentsNTCLE350E4热敏电阻耐高温达+185C，适合各种汽车应用快速、高精度温度检测。NiFe合金NTCLE350E4传感器导线导热性目前在市场
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）推出两款分辨率高达20µm，适用于各种压力感测应用的新型全集成汽车级接近传感器---VCNL3030x01和VCNL3036X01。这两款传感器将光电二极管、放大器和ADC电路集成在4mmx2.36mm，厚度仅为0.75mm的表面贴封装中。VCNL3030x01采用板载红外发射器（IRED）；VCNL3036X0
Diodes是一家处于全球领先地位的高质量特殊应用标准产品的制造商及供应商，该公司一直致力于提高对产品的质量管理。近日，Diodes推出了SD3.0标准的双向电位转换器，接下来查IC网小编向大家介绍一下这款产品。Diodes公司(Nasdaq：DIOD)宣布推出符合SD3.0标准的双向电位转换器PI4ULS3V4857，适用于通讯、消费及运算系统产品应用，包括智能型手机、笔记本电脑、SD/Micr
近日，龙芯中科完成32核龙芯3D5000初样芯片验证。龙芯3D5000的推出，标志着龙芯中科在服务器CPU芯片领域进入国内领先行列。龙芯中科正在进行龙芯3D5000芯片产品化工作，预计将在2023年上半年向产业链伙伴提供样片、样机。龙芯3D5000通过芯粒（Chiplet）技术把两个3C5000的硅片封装在一起，是一款面向服务器市场的32核CPU产品。龙芯3D5000集成了32个LA464处理器核
据韩媒首尔经济日报引述产业人士消息，尽管全球经济减缓，但三星电子明年仍将扩大DRAM与晶圆代工的晶圆产能，并且新增多台EUV极紫外光微影曝光设备。DRAM方面，三星计划扩增其位于韩国平泽P3晶圆厂的DRAM产能。目前，三星P3厂DRAM产线的月产能为2万片12英寸晶圆，而三星计划通过扩增DRAM设备，将该厂的DRAM产能每月增加至7万片12英寸晶圆。不久前，三星宣布推出了业界最先进12纳米级高性能
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