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3月13日，国内硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率半导体龙头英诺赛科宣布，美国海关与边境保护局（CBP）作出裁定，明确其新一代GaN产品不受ITC在337-TA-1366案中发布的有限排除令（LEO）限制，彻底扫清美国市场准入障碍，后续产品可正常进入美国市场。

该裁定发布于2026年2月20日，英诺赛科这款高能效、高功率密度的GaN产品，将赋能AI数据中心、机器人、光伏微型逆变器及电动车电源系统等领域技术创新。作为全球规模最大的8英寸GaN量产基地，英诺赛科此次突破进一步巩固了其在GaN领域的行业地位。

案件背景显示，2023年5月EPC起诉英诺赛科，指控其侵犯4项美国专利。后续EPC撤回3项专利指控，ITC裁定英诺赛科不侵权，美国专利商标局（US PTO）更宣布核心涉案专利全部权利要求无效，EPC不实指控彻底丧失法律基础。

据悉，现有有限排除令仅适用于英诺赛科旧款GaN芯片，且不影响境外完成PCBA的电源产品客户。目前相关裁定仍在上诉阶段，后续若上诉法院维持专利无效决定，该排除令将被永久撤销。自2026年2月20日起，英诺赛科含“AD”后缀的新一代产品，在美国开展相关业务不受任何限制。